集微网消息(文/春夏)据中国科学技术大学近日报道,中科大朱彦武课题组提出,低缺陷含量的单层石墨烯可为从理解极化作用下石墨烯界面离子吸附/相互作用提供了一个优良模版:既消除了孔道离子受限效应,又不受大多数多孔碳材料中孔隙或缺陷的影响。
中科大消息显示,经研究发现,在石墨烯正极化区间,电荷储存受带正电的团簇类离子脱附主导;在负极化区间,石墨烯表面质量变化较小,显示表面离子重排效应。随着施加电势的增加,两种类型的界面响应主导着双电层的变化,导致双电层电容增加。
该研究为进一步理解石墨烯-电解液界面结构以及石墨烯双电层储能提供了基础。
该研究成果已发表在杂志《Journal of the American Chemical Society》上。此外,该研究工作还得到了自然科学基金基金委、the Agence Nationale de la Recherche、国家留学基金(CSC)项目的支持。(校对/小北)
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